[中介]采用第6代IGBT硅片技术,损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制
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[中介]最新的CSTBTTM硅片技术带来:杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗更低,实现更可靠的长期电气连接端子孔径与安装定位孔径一
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[中介]采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化饱和压降低于业界同类产品续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低
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[中介]
产 品 型 号 参 数 说 明
SKM145GAL176D 1单元,140A/1700V
SKM200GB176D 2单元,200A/1700V
SKM200GAL176D 1单元,200A/1700V
SKM400GAL176D 1单元,400A
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[中介]采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化
饱和压降低于业界同类产品
续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流
开关频率可达60kHz
模块内部寄生电感低
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[中介]超高速型频率30KHZ系列
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[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1单元,300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2单元,225A/1200V
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[中介]DN2标准系列
频率10~20KHZ
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[中介]频率8-15K
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[中介]频率1-12K(Tj=175℃ 电流在Tc=100℃标称)
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